爱游戏-中国公司实现SOT

[导读]12月26日动静，据媒体报导，在国际微电子范畴顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项冲破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)手艺进展，解决了该手艺在年夜范围出产中面对的首要挑战。 12月26日动静，据媒体报导，在国际微电子范畴顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项冲破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)手艺进展，解决了该手艺在年夜范围出产中面对的首要挑战。 驰拓科技初次提出了合适年夜范围制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件布局，显著下降了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从道理上晋升了器件良率。 该布局的立异的地方在在将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并答应过刻蚀，从而年夜幅度增添了刻蚀窗口，下降了刻蚀进程的难度。 这一冲破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%晋升至跨越99.9%，到达了年夜范围制造的要求。 同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，跨越1万亿次的写入/擦除操作次数(丈量时候上限)，而且具有延续微缩的潜力。 据领会，SOT-MRAM具有纳秒级写入速度和无穷次擦写次数，是一种有望替换CPU各级缓存的高机能非易掉存储手艺，有望解决当前SRAM本钱和静态功耗太高等问题。 不外SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特殊是传统方案从道理上致使刻蚀良率低，严重制约了其年夜范围出产与利用。

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